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MEMS快速響應(yīng)氫氣傳感器
- 產(chǎn)品名稱:MEMS快速響應(yīng)氫氣傳感器
- 產(chǎn)品型號:TCD-H2
- 產(chǎn)品廠商:Delta Tech
- 產(chǎn)品文檔:
MEMS快速響應(yīng)氫氣傳感器
的詳細(xì)介紹MEMS快速響應(yīng)氫氣傳感器
MEMS熱導(dǎo)式傳感器工作原理:熱導(dǎo)率傳感器通過測量氣體或液體的導(dǎo)熱能力來工作。當(dāng)向材料施加熱量時,其散熱速率受到其導(dǎo)熱性的影響。在典型的熱導(dǎo)率傳感器中,兩個溫度傳感器(通常是熱電偶或電阻溫度傳感器)以已知距離放置。加熱器產(chǎn)生已知量的熱量,并測量兩個傳感器之間的溫差。然后,可以根據(jù)熱流和溫差計算導(dǎo)熱系數(shù)。
熱導(dǎo)率氣體傳感器敏感芯片測量膜中心熱電堆熱結(jié)和芯片厚邊緣冷結(jié)之間的熱阻。這是通過使用電阻器加熱器Rheat加熱膜的中心來實現(xiàn)的。由此產(chǎn)生的中心溫度升高由熱電堆溫度傳感器測量。實際溫度升高取決于膜中心和環(huán)境之間的有效熱阻,這受到膜熱阻、環(huán)境氣體熱阻、任何存在的氣體流量和(通常可以忽略不計)發(fā)射輻射等因素的影響。
TCD-5880-P2RW氣體傳感器敏感元件為了測量時準(zhǔn)確補(bǔ)償環(huán)境溫度變化,可以在熱導(dǎo)率傳感器芯片旁邊安放一個2x2
mm的PT100鉑電阻溫度傳感器。這允許根據(jù)溫度DIN
B等級準(zhǔn)確測量傳感器芯片的溫度。標(biāo)準(zhǔn)為100歐姆電阻器(0oC時為100歐姆,靈敏度為0.39%/oC),可選為0oC下為100歐姆的Pt100。所謂的"Roof硅蓋"是粘在薄膜熱點(diǎn)上的硅散熱器,在距離薄膜100μm處形成散熱器(見圖4.5)?!肮枭w”有兩個應(yīng)用。首先,熱導(dǎo)率傳感器周圍的任何氣流都被硅蓋阻擋,無法到達(dá)熱膜,因此傳感器的對流量靈敏度大大降低。因此,在有流量的情況下進(jìn)行測量時,硅蓋選項很有趣。其次,附近的散熱器將傳感器可以測量的上部真空壓力增加了大約3倍。因此,當(dāng)將熱導(dǎo)率傳感器用作真空計傳感器時,硅蓋選項也可能引起人們的興趣。
一、MEMS快速響應(yīng)氫氣傳感器(H2)特點(diǎn):
1、無需加熱恒溫等待
2、功耗低,約200mW
3、快速響應(yīng),約1秒
4、濕度測量和補(bǔ)償
5、溫度測量和補(bǔ)償
6、外形尺寸小
二、MEMS快速響應(yīng)氫氣傳感器(H2)技術(shù)參數(shù):
1、技術(shù)原理:MEMS測量
2、氣體:氫氣(H2)
3、量程:1%Vol.、2%Vol.、5%Vol.、10%Vol.、25%Vol.、50%Vol.或100%Vol.
4、非線性:1.0%FS
5、流量:0.5L/min.
6、供電:5VDC
7、輸出:0.5~2.5VDC和5V TTL電平
8、工作溫度范圍:-40~+80℃
9、耐壓:2.5bar 絕壓
警告:在通入4%Vol.以上濃度氫氣時,如果氫氣泄漏到外部,可能會導(dǎo)致爆炸??!